কোম্পানির খবর সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিং-এ ইউভি লিথোগ্রাফির অগ্রগতি এবং চ্যালেঞ্জ

সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিং-এ ইউভি লিথোগ্রাফির অগ্রগতি এবং চ্যালেঞ্জ

  ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট প্রযুক্তির অবিরাম অগ্রগতির সাথে, ছোট আকার এবং অতি-উচ্চ রেজোলিউশনের অনুসন্ধান আরও জরুরি হয়ে উঠেছে। ঐতিহ্যবাহী ফটো-লিথোগ্রাফি কৌশলগুলি ক্ষুদ্রাকরণের ক্রমবর্ধমান চাহিদা পূরণ করতে সংগ্রাম করেছে, বিশেষ করে সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিং-এ। এই চ্যালেঞ্জগুলি মোকাবেলা করার জন্য, 172nm ইউভি লিথোগ্রাফি তার অতি-উচ্চ রেজোলিউশনের কারণে একটি প্রতিশ্রুতিশীল প্রযুক্তি হিসাবে আবির্ভূত হয়েছে। এই প্রযুক্তি একাধিক এক্সপোজার এবং উন্নত মাস্কের দ্বৈত সুবিধা একত্রিত করে, যা ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট ডিজাইনের জন্য একটি নতুন সমাধান নিয়ে আসে এবং অতি-উচ্চ রেজোলিউশনের একটি নতুন যুগের দিকে যেতে সাহায্য করে।

  আল্ট্রাভায়োলেট লিথোগ্রাফি, সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিং-এর একটি গুরুত্বপূর্ণ পদক্ষেপ, অতিবেগুনী আলো ব্যবহার করে ফটোরেসিস্টের উপর সার্কিট প্যাটার্নগুলিকে নির্ভুলভাবে প্রজেক্ট করার উপর নির্ভর করে, যা রাসায়নিক বিক্রিয়ার মাধ্যমে পছন্দসই প্যাটার্ন তৈরি করে। ক্ষুদ্রাকরণের ক্রমবর্ধমান চ্যালেঞ্জের সাথে, ঐতিহ্যবাহী 248nm এবং 193nm লিথোগ্রাফি প্রযুক্তিগুলি ক্রমশ অনুপযুক্ত হয়ে উঠছে। যাইহোক, 172nm লিথোগ্রাফি, তার ছোট তরঙ্গদৈর্ঘ্য এবং ফলস্বরূপ অতি-উচ্চ রেজোলিউশন সহ, বর্তমান চরম অতিবেগুনী লিথোগ্রাফি (EUV) প্রযুক্তির একটি আদর্শ বিকল্প হয়ে উঠেছে। এর 172nm অতিবেগুনী তরঙ্গদৈর্ঘ্য সূক্ষ্ম প্যাটার্নের বিবরণ এবং নোড আকারের আরও হ্রাস সক্ষম করে, যা সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিং প্রযুক্তির অগ্রগতিকে উল্লেখযোগ্যভাবে উৎসাহিত করে। 172nm লিথোগ্রাফি প্রযুক্তি সূক্ষ্ম প্যাটার্নের বিবরণ অর্জনের জন্য ছোট তরঙ্গদৈর্ঘ্য ব্যবহার করে, যা প্রযুক্তিগত অগ্রগতিকে চালিত করে।

  মাল্টি-এক্সপোজার প্রযুক্তি, ফটো-লিথোগ্রাফিতে রেজোলিউশন বাধা দূর করার একটি মূল পদ্ধতি, একাধিক এক্সপোজারের মাধ্যমে একই এলাকার পুনরাবৃত্তিমূলক প্যাটার্নিংয়ের উপর নির্ভর করে, যার ফলে রেজোলিউশন এবং প্যাটার্ন নির্ভুলতা উভয়ই উন্নত হয়। 172nm ইউভি লিথোগ্রাফির ক্ষেত্রে, মাল্টি-এক্সপোজার প্রযুক্তি নিম্নলিখিত পদ্ধতিগুলির মাধ্যমে প্রয়োগ করা যেতে পারে।

  মাল্টি-প্যাটার্নিং একাধিক পাস করে রেজোলিউশন উন্নত করে। সাধারণ পদ্ধতির মধ্যে রয়েছে সাব-রেজোলিউশন এবং ডাবল প্যাটার্নিং।
সাব-রেজোলিউশন অ্যাসিস্ট ফিচার (SRAF): সাব-রেজোলিউশন অ্যাসিস্ট ফিচারগুলি ডিজাইন প্যাটার্নকে একাধিক এক্সপোজার জোনে সূক্ষ্মভাবে বিভক্ত করে। সাবধানে ডিজাইন করা অ্যাসিস্ট ফিচার ব্যবহার করে, তারা অপটিক্যাল প্রভাবের কারণে সৃষ্ট প্যাটার্ন বিকৃতিকে কার্যকরভাবে কাটিয়ে ওঠে। এই পদ্ধতিটি প্রতিটি এক্সপোজারের পরে একটি পরিষ্কার এবং সামঞ্জস্যপূর্ণ প্যাটার্ন নিশ্চিত করে।

  ফেজ শিফট মাস্ক (PSM): মাস্কের ফেজকে সঠিকভাবে সামঞ্জস্য করে, প্রজেক্টেড আলোর ওয়েভফ্রন্ট পরিবর্তন করা হয়, যার ফলে রেজোলিউশন উন্নত হয় এবং ডিফ্র্যাকশন প্রভাব হ্রাস পায়। মাল্টি-প্যাটার্নিং প্রক্রিয়ার সময়, PSM আলোকের তরঙ্গ সংহতির কারণে সৃষ্ট প্যাটার্ন বিচ্যুতিকে উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করে। ডাবল প্যাটার্নিং (DP): একটি জটিল প্যাটার্নকে দুটি স্বাধীন উপাদানে বিভক্ত করা হয় এবং দুটি ভিন্ন সময়ে দুটি এক্সপোজারের মাধ্যমে সম্পন্ন করা হয়। ডাবল প্যাটার্নিং লিথোগ্রাফি রেজোলিউশনের সীমাবদ্ধতা শিথিল করার সময় প্যাটার্ন নির্ভুলতা উল্লেখযোগ্যভাবে উন্নত করে।

  তবে, এই প্রযুক্তিগত সংমিশ্রণটি বেশ কয়েকটি চ্যালেঞ্জের সম্মুখীন হয়। উৎপাদন জটিলতা এবং উচ্চ খরচ প্রধান চ্যালেঞ্জ।
মাল্টিপল প্যাটার্নিং প্রযুক্তির প্রবর্তন নিঃসন্দেহে উৎপাদন জটিলতা বাড়ায়, যার জন্য ফটোরেসিস্ট, মাস্ক এবং আলোর উৎস সহ প্রতিটি পদক্ষেপের সঠিক নিয়ন্ত্রণের প্রয়োজন। উন্নত মাস্ক প্রযুক্তি তৈরি করাও তুলনামূলকভাবে ব্যয়বহুল, যার জন্য অত্যন্ত পরিশীলিত মাস্ক ম্যানুফ্যাকচারিং সরঞ্জাম এবং প্রযুক্তিগত সহায়তার প্রয়োজন, যা নিঃসন্দেহে সামগ্রিক উৎপাদন খরচ বাড়ায়।
  সংক্ষেপে, 172nm ইউভি লিথোগ্রাফিকে মাল্টিপল প্যাটার্নিং এবং উন্নত মাস্ক প্রযুক্তির সাথে একত্রিত করা সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিং-এ অতি-উচ্চ রেজোলিউশনে একটি অগ্রগতি এনেছে। এই উদ্ভাবনী সংমিশ্রণটি কেবল প্যাটার্নের সূক্ষ্মতা এবং রেজোলিউশন নিশ্চিত করে না, তবে ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটগুলির সামগ্রিক কর্মক্ষমতা এবং স্থিতিশীলতাও উন্নত করে। বর্তমান ডিজাইন এবং উৎপাদন চ্যালেঞ্জ সত্ত্বেও, প্রযুক্তির অবিরাম অগ্রগতির সাথে, আমাদের বিশ্বাস করার কারণ রয়েছে যে এই অত্যাধুনিক প্রযুক্তিগুলির প্রয়োগ সেমিকন্ডাক্টর শিল্পকে ছোট আকার এবং উচ্চতর ইন্টিগ্রেশন ঘনত্বের দিকে জোরালোভাবে চালিত করবে।