কোম্পানির খবর অতিবেগুনী আলোক নির্গত ডায়োড (ইউভি এলইডি) এর আলোক দক্ষতার ক্ষেত্রে গুরুত্বপূর্ণ অগ্রগতি

অতিবেগুনী আলোক নির্গত ডায়োড (ইউভি এলইডি) এর আলোক দক্ষতার ক্ষেত্রে গুরুত্বপূর্ণ অগ্রগতি

উপাদানটির স্ফটিকের গুণমান উন্নত করে, একটি নতুন সক্রিয় অঞ্চল কোয়ান্টাম কূপের কাঠামো ডিজাইন করে এবং এপিট্যাক্সিয়ালভাবে বৃদ্ধি করে,এবং ঐতিহ্যবাহী LED ডিভাইসের কাঠামোর মধ্যে এককভাবে একটি photomultiplier রূপান্তরকারী একীভূত, ২৮০ এনএম তরঙ্গদৈর্ঘ্যের সেমিকন্ডাক্টর গভীর অতিবেগুনী এলইডি (ডিইউভি এলইডি) এর ইলেক্ট্রো-অপটিক্যাল রূপান্তর দক্ষতা ২০% এরও বেশি বৃদ্ধি পেয়েছে।

ইউভি এলইডিগুলি পারদীয় ল্যাম্পগুলির পরিবেশ বান্ধব এবং শক্তি সঞ্চয়কারী বিকল্প। এই ডিভাইসটি তার ছোট আকার এবং দীর্ঘ জীবনের জন্যও পরিচিত।অ্যালুমিনিয়াম গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (AlGaN) এর কোয়ান্টাম কূপের অ্যালুমিনিয়ামের পরিমাণ পরিবর্তন করে, একটি প্রশস্ত-ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর উপাদান, ইউভি এলইডি 210 এনএম থেকে 360 এনএম পর্যন্ত বর্ণালী পরিসীমা জুড়ে থাকতে পারে।ইউভি এলইডিগুলি তাদের ছোট আকারের কারণে অন্যান্য অ্যাপ্লিকেশনগুলিতেও ব্যবহার করা যেতে পারে, উচ্চ দক্ষতা, এবং ক্রমাগত নিয়মিত তরঙ্গদৈর্ঘ্য, যা তাদের আরো বিপণনযোগ্য করে তোলে।ইউভি এলইডি বাজারের আকার ২০১৯ সালে ৫০০ মিলিয়ন মার্কিন ডলার থেকে বেড়ে ২০২৩ সালে ১ বিলিয়ন মার্কিন ডলার হবে।, অথবা তার চেয়েও বেশি।

গবেষণায় দেখা গেছে যে দক্ষতা বৃদ্ধির জন্য আমরা বিভিন্ন উদ্ভাবনী পদ্ধতি গ্রহণ করতে পারি, যার মধ্যে প্রধানত রয়েছেঃবর্তমান ইনজেকশন দক্ষতা উন্নত করার জন্য একটি পরিবাহী ফিল্ম গঠনের জন্য এন-টাইপ এবং পি-টাইপ ডোপিং দক্ষতা উন্নত করাআলোর নিষ্কাশন দক্ষতা এবং রূপান্তর দক্ষতা উন্নত করার জন্য ডিভাইস কাঠামো ডিজাইন করা; এবং সক্রিয় আলোক নির্গত এলাকায় একটি নতুন আলগাএন-ভিত্তিক কোয়ান্টাম কূপ এবং বাধা ব্যবহার করা।

আমরা আমাদের ইউভি এলইডিগুলির বিভিন্ন কাঠামো সাফিরের উপর বৃদ্ধি করেছি, একটি সস্তা স্বচ্ছ স্তর। আমরা একক-ক্রিস্টাল অ্যালান স্তর ব্যবহার এড়িয়েছি কারণ তারা খুব ব্যয়বহুল।সাফিরের অসুবিধা হল যে এর নাইট্রাইডের সাথে তার গ্রিড এবং তাপীয় সম্প্রসারণের অসঙ্গতি রয়েছে, যার ফলে খারাপ স্ফটিকের গুণমান হয় এবং সক্রিয় অঞ্চলে ক্যারিয়ারের বিকিরণ পুনরায় সংমিশ্রণের জন্য অনুকূল নয়।আমরা পৃষ্ঠের উপর পিরামিডাল কাঠামো সঙ্গে প্যাটার্ন সাফির substrates চালু এবং epitaxially উচ্চ মানের AlN ছায়াছবি ব্যবহার পাশের overgrowth উত্থিতএক্স-রে ডিফ্রাকশন স্কেকিং কার্ভের অর্ধেক প্রস্থের উপর ভিত্তি করে, আমরা অনুমান করেছি যে ফিল্মের বিঘ্ন ঘনত্ব 3 x 108 সেমি 2 এর চেয়ে কম ছিল।যা দেখায় যে এপিলেয়ার স্ট্রেস সম্পূর্ণরূপে মুক্তি পেয়েছেএই ফলাফলের ভিত্তিতে,আমরা জানি যে dislocations হ্রাস UV LEDs সক্রিয় অঞ্চলে nonradiative পুনরায় সমন্বয় দমন করতে পারেন এবং শেষ পর্যন্ত এই ডিভাইসের বিকিরণ পুনরায় সমন্বয় দক্ষতা উন্নত.